-低損耗設計&工藝 - 四路合成后損耗僅0.7dB(Psat=32.3dBm)
-E面剖分,公母同機(top/mid/bot成組同機加工)
-超精密加工,關鍵區(qū)域管控+/-0.003mm
-局部鍍金,嚴格控制膜厚
-嚴格按芯片S2P參數(shù)做電路匹配設計和制造公差分析
-嚴格控制的共晶焊接+金絲鍵合工藝
C波段小型化大功率TR組件
4合1功率放大器模組